CCD(电荷耦合)与CMOS(互补金属氧化物半导体)器件通过光源——光子，激发半导体内部电子使电子运动，光子的数目越多，产生的推动力——电压越大，当光子无限多的时候，电压应是无限的大，这还是要通过具体实践了，半导体会被灼伤吗，光子与半导体之间的接触方式是“非接触”的，半导体内部的电子数量是一定的，即使光子数量(电压)再大，而半导体也只能是倾献他的所有，产生他的最大电流；如果直接在CCD或CMOS两端接加高电压，可能半导体会马上烧坏；做为非接触式的外部高电压，到底会产生多少损伤，应是很难确定，制造部门不知有没有试验。CCD比CMOS产生电子的能力应是弱一点。
