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从沙子到芯片——Core i7是这样炼成的

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电镀:在晶圆上电镀一层硫酸铜,将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极(阳极)走向负极(阴极)。


前方是绝路,希望在转角。

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铜层:电镀完成后,铜离子沉积在晶圆表面,形成一个薄薄的铜层。


前方是绝路,希望在转角。

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第六阶段合影


前方是绝路,希望在转角。

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抛光:将多余的铜抛光掉,也就是磨光晶圆表面。


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金属层:晶体管级别,六个晶体管的组合,大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层,具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑,但事实上可能包含20多层复杂的电路,放大之后可以看到极其复杂的电路网络,形如未来派的多层高速公路系统。


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第七阶段合影


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晶圆测试:内核级别,大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部,正在接受第一次功能性测试,使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。


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晶圆切片(Slicing):晶圆级别,300毫米/12英寸。将晶圆切割成块,每一块就是一个处理器的内核(Die)。


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丢弃瑕疵内核:晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃,留下完好的准备进入下一步。


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第八阶段合影


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